Infineon Technologies - IRF7351TRPBF

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Artikelnummer:
IRF7351TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck and Dioden - Zener - Single ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7351TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF7351TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.8 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1330pF @ 30V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO

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