Artikelnummer :
SI4562DY-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO