DMN2500UFB4-7 Preise (USD) [1113349Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN2500UFB4-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN2500UFB4-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN2500UFB4-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
810mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.74nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
60.67pF @ 16V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
460mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN1006-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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