Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4006E-E3/54

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Artikelnummer:
1N4006E-E3/54
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL. Rectifiers Vr/800V Io/1A
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006E-E3/54 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N4006E-E3/54
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package : DO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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