AIHD03N60RFATMA1 Preise (USD) [156929Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- AIHD03N60RFATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IC DISCRETE 600V TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
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AIHD03N60RFATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AIHD03N60RFATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC DISCRETE 600V TO252-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
7.5A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 2.5A
Leistung max :
53.6W
Energie wechseln :
50µJ (on), 40µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
17.1nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
10ns/128ns
Testbedingung :
400V, 2.5A, 68 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-313
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