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Microsemi Corporation - APT22F120L

KEY Part #: K6408985

APT22F120L Preise (USD) [438Stück Lager]

  • 25 pcs$10.12718
Artikelnummer:
APT22F120L
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 23A TO264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT22F120L elektronische Komponenten. APT22F120L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT22F120L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT22F120L Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT22F120L
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8370pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-264 [L]
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

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