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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938377

TC58BYG2S0HBAI6 Preise (USD) [20269Stück Lager]

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Artikelnummer:
TC58BYG2S0HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Clock / Timing - Programmierbare Timer und Oszilla, Schnittstelle - Modems - ICs und Module, Linear - Verstärker - Audio, PMIC - Spannungsregler - DC DC Schaltregler, Logik - FIFOs Speicher, Schnittstelle - E / A-Erweiterer, PMIC - Spannungsregler - DC DC-Schaltregler and Schnittstelle - Sensor- und Detektorschnittstellen ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6 elektronische Komponenten. TC58BYG2S0HBAI6 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TC58BYG2S0HBAI6 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI6 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TC58BYG2S0HBAI6
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : 25ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 67-VFBGA
Supplier Device Package : 67-VFBGA (6.5x8)

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