IPP80N06S2L11AKSA2 Preise (USD) [92356Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPP80N06S2L11AKSA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPP80N06S2L11AKSA2 elektronische Komponenten. IPP80N06S2L11AKSA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPP80N06S2L11AKSA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPP80N06S2L11AKSA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPP80N06S2L11AKSA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2075pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
158W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Paket / fall :
TO-220-3
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