IRF7341GTRPBF Preise (USD) [100763Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF7341GTRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 5.1A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IRF7341GTRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7341GTRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 5.1A
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 25V
Leistung max :
2.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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