BSC046N02KSGAUMA1 Preise (USD) [161384Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC046N02KSGAUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BSC046N02KSGAUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC046N02KSGAUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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