DMN3026LVT-7 Preise (USD) [757135Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3026LVT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3026LVT-7 elektronische Komponenten. DMN3026LVT-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3026LVT-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3026LVT-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3026LVT-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
643pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSOT-26
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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