Infineon Technologies - BAW78DH6327XTSA1

KEY Part #: K6457759

BAW78DH6327XTSA1 Preise (USD) [666961Stück Lager]

  • 1 pcs$0.06861
  • 1,000 pcs$0.06827

Artikelnummer:
BAW78DH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GP 400V 1A SOT89. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BAW78DH6327XTSA1 elektronische Komponenten. BAW78DH6327XTSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BAW78DH6327XTSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAW78DH6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAW78DH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GP 400V 1A SOT89
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Last Time Buy
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-243AA
Supplier Device Package : PG-SOT89
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM