Vishay Siliconix - SIHF18N50C-E3

KEY Part #: K6406842

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    Artikelnummer:
    SIHF18N50C-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 18A TO220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHF18N50C-E3 elektronische Komponenten. SIHF18N50C-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHF18N50C-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIHF18N50C-E3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SIHF18N50C-E3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 18A TO220
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2942pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-3
    Paket / fall : TO-220-3

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