Toshiba Semiconductor and Storage - TK4A65DA(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6405638

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    Artikelnummer:
    TK4A65DA(STA4,Q,M)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
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    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK4A65DA(STA4,Q,M) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : TK4A65DA(STA4,Q,M)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
    Serie : π-MOSVII
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 1.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220SIS
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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