Infineon Technologies - IRF7509TR

KEY Part #: K6524756

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    Artikelnummer:
    IRF7509TR
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7509TR elektronische Komponenten. IRF7509TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7509TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7509TR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF7509TR
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N and P-Channel
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A, 2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 25V
    Leistung max : 1.25W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    Supplier Device Package : Micro8™

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