Microsemi Corporation - APT10M09B2VFRG

KEY Part #: K6409005

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    Artikelnummer:
    APT10M09B2VFRG
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT10M09B2VFRG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT10M09B2VFRG
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
    Serie : POWER MOS V®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9875pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 625W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]
    Paket / fall : TO-247-3 Variant