IXYS - IXFH18N60X

KEY Part #: K6394918

IXFH18N60X Preise (USD) [15840Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFH18N60X
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N60X Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFH18N60X
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1440pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 320W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3