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- Artikelnummer:
- NP180N055TUK-E1-AY
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 180A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America NP180N055TUK-E1-AY elektronische Komponenten. NP180N055TUK-E1-AY kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NP180N055TUK-E1-AY haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NP180N055TUK-E1-AY Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NP180N055TUK-E1-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
294nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16050pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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