FDN352AP Preise (USD) [746736Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDN352AP
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDN352AP elektronische Komponenten. FDN352AP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDN352AP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDN352AP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDN352AP
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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