Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BCWE

KEY Part #: K7359583

[14339Stück Lager]


    Artikelnummer:
    K4A4G165WE-BCWE
    Hersteller:
    Samsung Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: LPDDR4X, GDDR6, GDDR5, LPDDR5, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR3 and SLC Nand ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BCWE elektronische Komponenten. K4A4G165WE-BCWE kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu K4A4G165WE-BCWE haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G165WE-BCWE Produkteigenschaften

    Artikelnummer : K4A4G165WE-BCWE
    Hersteller : Samsung Semiconductor
    Beschreibung : 4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Serie : DDR4
    Dichte : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Geschwindigkeit : 3200 Mbps
    Stromspannung : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paket : 96FBGA
    Produckstatus : Mass Production

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.