Vishay Semiconductor Diodes Division - US1MHE3_A/H

KEY Part #: K6453067

US1MHE3_A/H Preise (USD) [636328Stück Lager]

  • 1 pcs$0.05813
  • 1,800 pcs$0.05412
  • 3,600 pcs$0.04961
  • 5,400 pcs$0.04660
  • 12,600 pcs$0.04360
  • 45,000 pcs$0.04009

Artikelnummer:
US1MHE3_A/H
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division US1MHE3_A/H elektronische Komponenten. US1MHE3_A/H kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu US1MHE3_A/H haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1MHE3_A/H Produkteigenschaften

Artikelnummer : US1MHE3_A/H
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die