IXYS - IXTP3N50D2

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Artikelnummer:
IXTP3N50D2
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP3N50D2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTP3N50D2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1070pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3

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