HGT1S12N60A4DS Preise (USD) [28587Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HGT1S12N60A4DS
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 54A 167W D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
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HGT1S12N60A4DS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGT1S12N60A4DS
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
96A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 12A
Leistung max :
167W
Energie wechseln :
55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
17ns/96ns
Testbedingung :
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
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