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- Artikelnummer:
- IRFR3412PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFR3412PBF elektronische Komponenten. IRFR3412PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFR3412PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFR3412PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFR3412PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
89nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3430pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
140W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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