EGL34FHE3_A/I Preise (USD) [732237Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- EGL34FHE3_A/I
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,300V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34FHE3_A/I elektronische Komponenten. EGL34FHE3_A/I kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EGL34FHE3_A/I haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EGL34FHE3_A/I Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EGL34FHE3_A/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 500mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-213AA (Glass)
Supplier Device Package :
DO-213AA (GL34)
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
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