SISF00DN-T1-GE3 Preise (USD) [134082Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SISF00DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SISF00DN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SISF00DN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SISF00DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SISF00DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 15V
Leistung max :
69.4W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8SCD
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8SCD
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