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Microsemi Corporation - APTM120A65FT1G

KEY Part #: K6524309

[3875Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTM120A65FT1G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Brückengleichrichter ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM120A65FT1G elektronische Komponenten. APTM120A65FT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM120A65FT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120A65FT1G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTM120A65FT1G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-Funktion : Standard
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7736pF @ 25V
    Leistung max : 390W
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP1
    Supplier Device Package : SP1

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