R6012ANJTL Preise (USD) [48758Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- R6012ANJTL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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R6012ANJTL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
R6012ANJTL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LPTS
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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