FDC6312P Preise (USD) [590450Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDC6312P
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDC6312P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDC6312P
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
467pF @ 10V
Leistung max :
700mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
SuperSOT™-6
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