FDMS9409L-F085 Preise (USD) [123849Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMS9409L-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- NMOS PWR56 40V 2.8 MOHM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS9409L-F085 elektronische Komponenten. FDMS9409L-F085 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS9409L-F085 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMS9409L-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS9409L-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
NMOS PWR56 40V 2.8 MOHM
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3360pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6), Power56
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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