Diodes Incorporated - DMN2019UTS-13

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Artikelnummer:
DMN2019UTS-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2019UTS-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN2019UTS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 143pF @ 10V
Leistung max : 780mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-TSSOP

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