Artikelnummer :
FJN3309RTA
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
40V
Widerstand - Basis (R1) :
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device Package :
TO-92-3