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- Artikelnummer:
- GP1M018A020HG
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 18A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Global Power Technologies Group GP1M018A020HG elektronische Komponenten. GP1M018A020HG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GP1M018A020HG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GP1M018A020HG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GP1M018A020HG
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 18A TO220
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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