Vishay Siliconix - SI6963BDQ-T1-GE3

KEY Part #: K6524211

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    Artikelnummer:
    SI6963BDQ-T1-GE3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI6963BDQ-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI6963BDQ-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI6963BDQ-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI6963BDQ-T1-GE3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI6963BDQ-T1-GE3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Leistung max : 830mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    Supplier Device Package : 8-TSSOP

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