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- Artikelnummer:
- TK4A55D(STA4,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TK4A55D(STA4,Q,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK4A55D(STA4,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
Serie :
π-MOSVII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.88 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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