Artikelnummer :
DTC363EUT106
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
600mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
20V
Widerstand - Basis (R1) :
6.8 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
6.8 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
80mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
200MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
UMT3