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- Artikelnummer:
- DTC363EUT106
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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DTC363EUT106 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DTC363EUT106
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
600mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
20V
Widerstand - Basis (R1) :
6.8 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
6.8 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
80mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
200MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
UMT3
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