Infineon Technologies - FZ2400R17HP4B9HOSA2

KEY Part #: K6532845

FZ2400R17HP4B9HOSA2 Preise (USD) [85Stück Lager]

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Artikelnummer:
FZ2400R17HP4B9HOSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MODULE IGBT IHMB190-2.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ2400R17HP4B9HOSA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FZ2400R17HP4B9HOSA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MODULE IGBT IHMB190-2
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Single Switch
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 4800A
Leistung max : 15500W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 2400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 195nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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