APT65GP60B2G Preise (USD) [4372Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT65GP60B2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 100A 833W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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APT65GP60B2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT65GP60B2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
250A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 65A
Leistung max :
833W
Energie wechseln :
605µJ (on), 896µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
30ns/91ns
Testbedingung :
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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