NGTB03N60R2DT4G Preise (USD) [9227Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NGTB03N60R2DT4G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 9A 600V DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - RF ...
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NGTB03N60R2DT4G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NGTB03N60R2DT4G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 9A 600V DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
12A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 3A
Leistung max :
49W
Energie wechseln :
50µJ (on), 27µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
27ns/59ns
Testbedingung :
300V, 3A, 30 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
65ns
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
DPAK
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