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- Artikelnummer:
- KLUEGAJ1ZD-B0CQ
- Hersteller:
- Samsung Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: GDDR6, HBM Aquabolt, MODULE, LPDDR4, HBM Flarebolt, GDDR5, DDR3 and LPDDR5 ...
- Wettbewerbsvorteil:
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KLUEGAJ1ZD-B0CQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
KLUEGAJ1ZD-B0CQ
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
Serie :
DDR3
Ausführung :
UFS 2.1
Dichte :
256 GB
Stromspannung :
1.8 / 3.3 V
Schnittstelle :
G3 2Lane
Packungsgrösse :
11.5 x 13 x 1.72 mm
Temp. :
-40 ~ 105 °C
Produckstatus :
Mass Production
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