IPW60R090CFD7XKSA1 Preise (USD) [11588Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- HIGH POWERNEW.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPW60R090CFD7XKSA1 elektronische Komponenten. IPW60R090CFD7XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPW60R090CFD7XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPW60R090CFD7XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPW60R090CFD7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
HIGH POWERNEW
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 570µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2103pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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