APTGT50H60RT3G Preise (USD) [2178Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTGT50H60RT3G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTGT50H60RT3G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTGT50H60RT3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Aufbau :
Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
80A
Leistung max :
176W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Eingang :
Single Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
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