ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

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IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR Preise (USD) [11073Stück Lager]

  • 1 pcs$4.13796

Artikelnummer:
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA. SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Energieverwaltung - spezialisiert, PMIC - V / F- und F / V-Wandler, PMIC - Batteriemanagement, PMIC - Power over Ethernet (PoE) -Controller, PMIC - Spannungsregler - Linear + Schalten, PMIC - Lasertreiber, Datenerfassung - analoges Frontend (AFE) and Embedded - CPLDs (Komplexe programmierbare Logikge ...
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Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR elektronische Komponenten. IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Asynchronous
Speichergröße : 8Mb (512K x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 10ns
Zugriffszeit : 10ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 48-TFBGA
Supplier Device Package : 48-TFBGA (6x8)

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