Infineon Technologies - IDV20E65D1XKSA1

KEY Part #: K6442787

IDV20E65D1XKSA1 Preise (USD) [45618Stück Lager]

  • 1 pcs$0.63969
  • 10 pcs$0.57238
  • 100 pcs$0.44620
  • 500 pcs$0.34867
  • 1,000 pcs$0.27526

Artikelnummer:
IDV20E65D1XKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDV20E65D1XKSA1 elektronische Komponenten. IDV20E65D1XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDV20E65D1XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDV20E65D1XKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDV20E65D1XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 28A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 20A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 42ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package : PG-TO220-2 Full Pack
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.

  • VS-8EWF10SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.

  • VS-8EWF04SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.