Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1EFH01W-M3-18

KEY Part #: K6442652

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    Artikelnummer:
    VS-1EFH01W-M3-18
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMF.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1EFH01W-M3-18 elektronische Komponenten. VS-1EFH01W-M3-18 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-1EFH01W-M3-18 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-1EFH01W-M3-18 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : VS-1EFH01W-M3-18
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
    Serie : FRED Pt®
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 1A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 16ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 100V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DO-219AB
    Supplier Device Package : SMF (DO-219AB)
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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