HGTD1N120BNS9A Preise (USD) [136878Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HGTD1N120BNS9A
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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HGTD1N120BNS9A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGTD1N120BNS9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
5.3A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
6A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 1A
Leistung max :
60W
Energie wechseln :
70µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
15ns/67ns
Testbedingung :
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252AA
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