2SK879-Y(TE85L,F) Preise (USD) [663036Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 2SK879-Y(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- JFET N-CH 0.1W USM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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2SK879-Y(TE85L,F) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
2SK879-Y(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
JFET N-CH 0.1W USM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
1.2mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max :
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id :
400mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8.2pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) :
-
Leistung max :
100mW
Betriebstemperatur :
125°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
USM
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