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Microsemi Corporation - APTM10HM19FT3G

KEY Part #: K6522651

APTM10HM19FT3G Preise (USD) [1796Stück Lager]

  • 1 pcs$24.23878
  • 100 pcs$24.11819
Artikelnummer:
APTM10HM19FT3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM10HM19FT3G elektronische Komponenten. APTM10HM19FT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM10HM19FT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10HM19FT3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM10HM19FT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
Leistung max : 208W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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