Alliance Memory, Inc. - AS6C1016-55BIN

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Artikelnummer:
AS6C1016-55BIN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA. SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 8 Asynch SRAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Sprachaufzeichnung und Wiedergabe, PMIC - Energiemessung, PMIC - Spannungsregler - DC DC-Schaltregler, Schnittstelle - CODECs, Audio-Spezialzweck, Logik - Gates und Inverter - Multifunktional, konf, Schnittstelle - Module and Uhr / Timing - anwendungsspezifisch ...
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Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS6C1016-55BIN elektronische Komponenten. AS6C1016-55BIN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS6C1016-55BIN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS6C1016-55BIN Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS6C1016-55BIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Asynchronous
Speichergröße : 1Mb (64K x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 55ns
Zugriffszeit : 55ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 48-TFBGA
Supplier Device Package : 48-TFBGA (6x8)

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