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GeneSiC Semiconductor - MBR12080CT

KEY Part #: K6468617

MBR12080CT Preise (USD) [1424Stück Lager]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.79770
Artikelnummer:
MBR12080CT
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56RV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR12080CT elektronische Komponenten. MBR12080CT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR12080CT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR12080CT Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR12080CT
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 120A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 60A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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